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安森美半導(dǎo)體以獲獎(jiǎng)的超低電容技術(shù)擴(kuò)充ESD保護(hù)產(chǎn)品系列

時(shí)間:2023-04-30 01:33:58 航空航天論文 我要投稿
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安森美半導(dǎo)體以獲獎(jiǎng)的超低電容技術(shù)擴(kuò)充ESD保護(hù)產(chǎn)品系列

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出兩款新型器件ESD7L5.0D和NUP4212.這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專(zhuān)有的集成ESD保護(hù)平臺(tái)設(shè)計(jì),提高了鉗位電壓性能,同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸.

作 者:   作者單位:   刊 名: 電子元器件應(yīng)用  英文刊名: ELECTRONIC COMPONENT & DEVICE APPLICATIONS  年,卷(期): 2008 10(9)  分類(lèi)號(hào):   關(guān)鍵詞:  

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