納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜

用真空蒸發(fā)法在玻璃和單晶硅片(100)上制備Zn薄膜,然后對Zn薄膜進行氧化、熱處理獲得納米ZnO薄膜.對在硅片上制備的Zn薄膜一次性進行高溫摻雜、氧化獲得納米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜.研究不同氧化、摻雜溫度和時間對薄膜結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能的影響.結(jié)果表明:氧化溫度和時間對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)影響較大,液態(tài)源摻P可明顯改善納米ZnO薄膜的導(dǎo)電性能、結(jié)構(gòu)特性和化學(xué)組分.

作 者： 李健 宋淑芳 季秉厚   作者單位： 內(nèi)蒙古大學(xué)理工學(xué)院,呼和浩特,010021  刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(2)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： 真空蒸發(fā)   納米ZnO薄膜   液態(tài)源摻雜   氧化  

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