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薄柵氧化層中陷阱電荷密度的測量方法
提出了一種測量陷阱電荷密度的實(shí)驗(yàn)方法,該方法根據(jù)電荷陷落的動態(tài)平衡方程,利用恒流應(yīng)力前后MOS電容高頻C-V曲線結(jié)合恒流應(yīng)力下柵電壓的變化曲線求解陷阱電荷密度及位置等物理量.給出了陷阱電荷密度的解析表達(dá)式和相關(guān)參數(shù)的提取方法和結(jié)果.實(shí)驗(yàn)表明這種方法方便而且具有較高的精度.
作 者： 劉紅俠 鄭雪峰 郝躍 作者單位： 西安電子科技大學(xué)微電子研究所,西安,710071 刊 名： 物理學(xué)報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(1) 分類號： O4 關(guān)鍵詞： 薄柵氧化膜 經(jīng)時擊穿 恒流應(yīng)力 陷阱電荷密度【薄柵氧化層中陷阱電荷密度的測量方法】相關(guān)文章：
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