LGS晶體的化學(xué)腐蝕及缺陷分布

采用提拉法生長得到LGS單晶,采用磷酸作腐蝕劑,對LGS晶體做了一系列腐蝕實驗.實驗結(jié)果表明:對于不同方向晶面,腐蝕液的配比和腐蝕時間等條件各不相同.根據(jù)腐蝕坑可以判定.其極軸是二次軸[1120]方向,并可具體確定極軸方向.關(guān)于腐蝕坑的分布可以判定,在現(xiàn)行條件下生長的晶體具有較高的質(zhì)量.

作 者： 黃慶捷 孔海寬 李軍 高磊 葛文偉 張懷金 胡小波 江懷東 王繼揚(yáng)   作者單位： 黃慶捷,孔海寬,高磊,葛文偉,張懷金,胡小波,江懷東,王繼揚(yáng)(山東大學(xué),晶體材料國家重點(diǎn)實驗室,山東,濟(jì)南,250100)

李軍(山東中晶光電子公司,山東,濟(jì)南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2003 34(2)  分類號： O738 O77 O78  關(guān)鍵詞： La3Ga5SiO14   化學(xué)腐蝕   缺陷   提拉法  

【LGS晶體的化學(xué)腐蝕及缺陷分布】相關(guān)文章：

新型非線性晶體CLBO的缺陷研究04-29

γ-LiAlO2晶體的生長缺陷研究04-27

光子晶體缺陷模的偏振特性研究04-29

鎢酸鉛晶體中痕量雜質(zhì)元素的分布特征及其對晶體性能的影響04-27

含單負(fù)材料的光子晶體的缺陷模和透射譜04-29

一維摻雜光子晶體的缺陷模和偏振特性研究04-28

摻釔鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究04-28

一維多層摻雜光子晶體缺陷模的偏振特性04-26

摻鑭鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究04-27

二維點(diǎn)缺陷正方光子晶體的微腔結(jié)構(gòu)04-30