基于氮氧化物的高k柵介質(zhì)研究現(xiàn)狀

摘要： 氮氧化物在MOS器件高k柵介質(zhì)研究中得到了廣泛的重視.本文從材料、工藝、性能等角度綜述了目前氮氧化物的研究進(jìn)展,對(duì)氮化改性應(yīng)用于高k柵介質(zhì)的利弊作了重點(diǎn)探討. 作 者： 徐文彬    王德苗   作者單位： 徐文彬(集美大學(xué)信息工程學(xué)院,福建廈門,361021)

王德苗(浙江大學(xué)信電系,浙江杭州,310027) 

期 刊： 科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào)    Journal： SCIENCE AND TECHNOLOGY INNOVATION HERALD  年，卷(期)： 2010, (8)  分類號(hào)： X701  關(guān)鍵詞： 氮氧化物    柵介質(zhì)    氮化   

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